由于内存在标签上并没有具体统一的格式，所以在识别时候有些麻烦。一般的标签都必须有的信息为容量(2048MB)、频率(1066MHz)、延迟(5-6-6-18)、电压(2.10V)等信息，这些也都是最基本的参数。内存延迟内存延迟表示系统进入数
由于内存在标签上并没有具体统一的格式，所以在识别时候有些麻烦。一般的标签都必须有的信息为容量(2048MB)、频率(1066MHz)、延迟(5-6-6-18)、电压(2.10V)等信息，这些也都是最基本的参数。
内存延迟
内存延迟表示系统进入数据存取操作就绪状态前等待内存相应的时间，它通常用4个连着的阿拉伯数字来表示，例如“5-6-6-18”。其实并非延迟越小内存性能越高，因为CL-TRP-TRCD-TRAS这四个数值是配合使用的，相互影响的程度非常大，并且也不是数值最大时其性能也最差，那么更加合理的配比参数很重要。
CAS Latency，即列地址选通脉冲时间延迟，我们常说的CL值就是它。指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。
RAS-to-CAS Delay(tRCD)，对应于CAS，RAS是指Row Address Strobe，行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS(数据请求后首先被激发)和CAS(RAS完成后被激发)并不是连续的，存在着延迟。即内存行地址传输到列地址的延迟时间。
Row-precharge Delay(tRP)，内存行地址选通脉冲预充电时间，即内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间。
Row-active Delay(tRAS)，内存行地址选通延迟。是指从收到一个请求后到初始化RAS(行地址选通脉冲)真正开始接受数据的间隔时间。
内存条的参数该怎么看 扩展
但从内存上看就能找到ddr2还是ddr3，内存上的缺口也可以，DDR2和DDR3的缺口位置是不一样的。只是谁会去记那缺口的具体位置……你可以看内存条上面的标注，如果是DDR2的，一般就会写DDR667或者DDR800的字样，如果是DDR3的，那上面就会有DDR1333。
